“完美存儲”的鐵電技術(shù)
鐵電可以說結(jié)合了諸多存儲產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，讀寫速度快、數(shù)據(jù)不易丟失、基本可以無限擦寫，但它的功耗又極低，可以說是理想中的存儲單元。如果您還不是很了解鐵電，可以參考筆者以前的文章《“金剛狼”一出，霸氣外露》，里面有詳細(xì)的介紹。
目前富士通推出的產(chǎn)品是獨(dú)立FRAM存儲器以及內(nèi)置鐵電的RFID，因?yàn)椴捎昧诵碌?.18um工藝，鐵電的存儲容量也得到了提升。以獨(dú)立FRAM存儲器為例，IIC接口的存儲容量在4Kbit~256Kbit;SPI接口的在16Kbit-2Mbit，其中1Mbit和2Mbit今年三月份富士通剛剛完成開發(fā)，目前已經(jīng)可以提供樣品;并口提供的容量更大，在256Kbit~4Mbit，8M容量的也在計(jì)劃開發(fā)當(dāng)中。雖然富士通在09年才陸續(xù)推出自己的鐵電存儲產(chǎn)品，但是在鐵電生產(chǎn)上富士通的經(jīng)驗(yàn)可以說是相當(dāng)豐富，因?yàn)樵缭?999年富士通就開始生產(chǎn)鐵電產(chǎn)品，但未在全球市場推廣，這也是為什么在短短幾年的時(shí)間內(nèi)富士通就能完善鐵電存儲系列的原因所在。筆者很好奇富士通生產(chǎn)鐵電產(chǎn)品是否會(huì)有專利方面的問題，富士通的工作人員也是耐心的解答了筆者的疑慮：富士通的鐵電不會(huì)有專利方面的問題。
先前富士通就推出過帶鐵電存儲的MCU產(chǎn)品，但是因?yàn)閮r(jià)格的原因并沒有大面積的推廣，這次推出，筆者也是非常好奇是否會(huì)有風(fēng)險(xiǎn)，畢竟鐵電存儲價(jià)格要比EEPROM或其他存儲價(jià)格高出很多，但很顯然筆者是多慮了，富士通有著非常明確的市場定位。內(nèi)置鐵電的RFID會(huì)側(cè)重在醫(yī)療生物和環(huán)境復(fù)雜的工業(yè)自動(dòng)化上。在醫(yī)療領(lǐng)域經(jīng)常會(huì)用到伽馬射線，EEPROM或Flash存儲器被射線照射后數(shù)據(jù)會(huì)被破壞，而鐵電存儲就沒有這樣的問題，在環(huán)境復(fù)雜的工業(yè)應(yīng)用中，鐵電存儲的穩(wěn)定性會(huì)比其他方式要好很多，一些比較大容量的RFID產(chǎn)品在冷鏈控制物流方面也會(huì)有非常廣泛的應(yīng)用。目前內(nèi)置鐵電的RFID根據(jù)通信距離分UHF、HF兩種，容量也是從256B~8KB不等。
種類齊全的MCU系列
富士通的8位MCU在白色家電、數(shù)碼產(chǎn)品、健康產(chǎn)品以及工業(yè)的儀器儀表中都有比較大的應(yīng)用，也是目前富士通出貨量比較大的一塊。而采用了新的0.13um工藝帶來的8FX 8位MCU尺寸將更小，價(jià)格將更有競爭力，另外更大容量的Flash，雙通道的Flash技術(shù)以及越來越多的外圍電路集成到MCU中(比如集成觸控按鍵單元)也將使產(chǎn)品設(shè)計(jì)越來越方便，性能越來越可靠;16位的MCU也會(huì)持續(xù)側(cè)重在汽車應(yīng)用上。
32位MCU，各家基于ARM Cortex-M內(nèi)核的產(chǎn)品可以說數(shù)以千計(jì)了，而面對已經(jīng)取得ARM所有內(nèi)核授權(quán)的富士通，筆者自然也不會(huì)放過問這個(gè)問題。目前富士通是以Cortex-M3為內(nèi)核的FM3微控制器為主。而說到富士通微控制器的優(yōu)勢，自然也是在微控制器的外圍，比如富士通的多功能串口，IIC/SIO/UART，用戶可以根據(jù)工程師的需要自由配置，極大的提高了設(shè)計(jì)的靈活性，在工業(yè)控制以及表計(jì)類對串口要求比較多的領(lǐng)域用途很廣;所有產(chǎn)品都會(huì)帶多功能定時(shí)器這個(gè)功能，這是把定時(shí)器、比較器集成為一個(gè)模塊，可以發(fā)送方波和正弦波用作驅(qū)動(dòng)變頻控制，用在空調(diào)、冰箱等家電的變頻應(yīng)用上;帶以太網(wǎng)接口的微控制器MB9BF618T以上都是帶雙以太網(wǎng)口，這些在表計(jì)上用途很廣，一個(gè)以太網(wǎng)用于內(nèi)部組網(wǎng)，另一個(gè)以太網(wǎng)與上位機(jī)進(jìn)行通訊，傳到電網(wǎng)或?yàn)殡姳砉臼占瘮?shù)據(jù)，這些都是其他公司Cortex-M內(nèi)核產(chǎn)品所沒有的，是富士通的特色。 另外新的基本產(chǎn)品組系列主頻升級為72MHz，工作溫度范圍上也進(jìn)行了擴(kuò)展，從工業(yè)級的-40~85度擴(kuò)展到寬溫工業(yè)級-40~105度。
今年富士通也會(huì)陸續(xù)推出M0+和M4的產(chǎn)品，產(chǎn)品系列將進(jìn)一步得到豐富。
驚鴻一瞥的能量收集電源管理芯片
這是富士通展位比較吸引眼球的一個(gè)技術(shù)，正式的產(chǎn)品今年5月份才能發(fā)布。想象一下，家里的遙控器今后將不再需要使用電池，使用的時(shí)候搖一搖或者室內(nèi)光就能給它供電;家里的電器使用能量收集芯片能真正實(shí)現(xiàn)零待機(jī);橋梁的監(jiān)測也不再需要為監(jiān)測設(shè)備更換電池而發(fā)愁了(因?yàn)檫@類安裝在橋體的監(jiān)測設(shè)備更換電池成本很高)，基本能達(dá)到半永久化的程度。這些將是多么美好的事情，而這些能量收集電源管理芯片都能為您實(shí)現(xiàn)。
其實(shí)實(shí)現(xiàn)這些的基礎(chǔ)都是源于富士通DC-DC芯片的超低壓啟動(dòng)技術(shù)。目前富士通提供光能和振動(dòng)兩種能量收集。普通的光能收集方案需要太陽能電池板在室外經(jīng)過強(qiáng)光照射才能供電，因?yàn)槠胀ǖ腄C-DC芯片需要0.9V以上才能啟動(dòng)，而室內(nèi)光無法使太陽能電池板產(chǎn)生這么高的電壓，而富士通的超低壓啟動(dòng)技術(shù)使得芯片在0.35V就可以啟動(dòng)，為收集微光提供了可能，電路再經(jīng)過升壓電路后就可以為相應(yīng)的MCU或其他器件供電。
富士通在展會(huì)上為大家展示了很多新興的技術(shù)和想法，讓人有耳目一新的感覺，很多技術(shù)如果組合起來使用，比如能量收集方案加上超低功耗的鐵電方案，個(gè)人感覺肯定又會(huì)產(chǎn)生很多新興的應(yīng)用，十分期待富士通未來的市場表現(xiàn)，希望富士通越走越好。
