氧化亞銅（Cu2O）是一種性能優(yōu)異的半導(dǎo)體材料，它具有2.1eV（590nm）的直接帯隙以及很高的可見光吸收系數(shù)，再加上它具有無毒、低價(jià)、原料豐富等優(yōu)點(diǎn)，已成為太陽能轉(zhuǎn)化與利用研究領(lǐng)域的重要材料。理論預(yù)計(jì)基于Cu2O的太陽能電池效率可達(dá)20%，通過摻雜引入合適的中間帶（intermediate band）后，其光電轉(zhuǎn)換效率的理論極限可進(jìn)一步提高到~60%。同時(shí)，Cu2O具有光催化活性，可以直接利用可見光來催化水的裂解產(chǎn)生氫氣。
中國科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家實(shí)驗(yàn)室（籌）清潔能源前沿研究重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室杜小龍研究組持續(xù)開展了Cu2O單晶薄膜的可控生長、摻雜及缺陷調(diào)控等一系列研究工作，獲得了一些重要進(jìn)展。Cu2O中Cu處于中間價(jià)態(tài)，這為單一價(jià)態(tài)Cu2O的制備帶來了困難，梅增霞副研究員、李俊強(qiáng)博士、杜小龍研究員等通過對Cu膜氧化動力學(xué)過程的系統(tǒng)研究，實(shí)現(xiàn)了氧化過程的精確控制，抑制了欠氧化或過氧化所造成的金屬Cu或二價(jià)CuO團(tuán)簇的形成，并進(jìn)一步發(fā)展了Cu2O的外延生長工藝，利用分子束外延法在ZnO、MgO、SrTiO3等多種襯底上制備出高質(zhì)量Cu2O單晶薄膜。通過調(diào)節(jié)富銅/富氧生長條件，實(shí)現(xiàn)了薄膜中本征缺陷種類及濃度的調(diào)控，在室溫下觀察到了強(qiáng)烈的激子發(fā)光，并證實(shí)了銅空位（VCu）是影響激子特性的主要原因，而氧空位（VO）含量對激子發(fā)光的影響較小。
摻雜是調(diào)控Cu2O光電特性以滿足器件應(yīng)用需要的必要手段，最近該團(tuán)隊(duì)和E02組孟慶波研究員、SF3組紀(jì)愛玲副研究員以及挪威奧斯陸大學(xué)的Andrej Kuznetsov教授等合作，通過氮摻雜技術(shù)實(shí)現(xiàn)了對Cu2O的電性調(diào)控，并系統(tǒng)研究了雜質(zhì)和缺陷在Cu2O晶格中的動力學(xué)行為。N原子摻入會占據(jù)O原子位形成替位原子，還會導(dǎo)致薄膜中VO含量增加，并有部分N原子會形成填隙原子（Ni）。Ni是一種在研究中被長期忽視的缺陷，然而該團(tuán)隊(duì)的研究結(jié)果證明：它與其他缺陷的相互作用對Cu2O薄膜的光電性能產(chǎn)生了重要影響。在適當(dāng)?shù)耐嘶饤l件下，Ni能夠遷移到VO的位置填補(bǔ)這一空位，導(dǎo)致VO和Ni減少以及NO增加，從而使薄膜性質(zhì)發(fā)生相應(yīng)的改變。這一工作發(fā)表在Scientific Reports 4, 7240 (2014)?；趯Φ獡诫s機(jī)理的理解，通過對摻雜及退火條件的設(shè)計(jì)，可以大幅提高Cu2O薄膜光電性能，為其在能源器件中的應(yīng)用打下堅(jiān)實(shí)的材料基礎(chǔ)。
上述工作得到了科技部、國家自然科學(xué)基金委和中國科學(xué)院的項(xiàng)目資助。
Cu2O摻雜機(jī)理研究論文：Scientific Reports 4, 7240 (2014)
Cu膜氧化動力學(xué)過程研究論文：Chin. Phys. B 21, 076401 (2012)
Cu2O單晶薄膜外延生長研究論文：J. Cryst. Growth 353, 63 (2012)
Cu2O激子發(fā)光研究論文：Opt. Mater. Express 3, 2072 (2013)
圖1. Cu2O單晶薄膜的制備：ZnO模板上（a）Cu2O(111)和（b）Cu2O(110)薄膜的XRDθ-2θ掃描結(jié)果及RHEED監(jiān)測結(jié)果；（c）ZnO/Cu2O異質(zhì)結(jié)原型器件示意圖及I-V測試結(jié)果；（d）藍(lán)寶石上Cu2O單晶薄膜的XRD θ-2θ掃描及RHEED監(jiān)測結(jié)果；（e）藍(lán)寶石上單晶Cu2O薄膜的XRD ф掃描結(jié)果。
圖2. Cu2O光電性能調(diào)控及缺陷研究：（a）摻氮樣品的XRD θ-2θ?掃描結(jié)果；霍爾測試得出的（b）電性隨摻雜濃度變化及（c）電性隨退火溫度變化的結(jié)果；（d）室溫下PL測試結(jié)果以及用聲子輔助的模型對激子發(fā)光峰的擬合；（e）摻氮樣品的室溫PL譜；（f）氮摻雜樣品中雜質(zhì)缺陷作用機(jī)理示意圖。
