中國儲能網(wǎng)訊：英國劍橋大學、新加坡數(shù)據(jù)存儲研究所與新加坡技術和設計大學的科學家經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，用可以在不同電狀態(tài)間快速來回切換的相變材料替代硅，他們有望研制出信息處理速度快1000倍且更小、更環(huán)保的計算機。研究發(fā)表在最新一期的美國《國家科學院學報》上。
據(jù)美國《大眾科學》網(wǎng)站近日報道，研究人員表示，這種基于硫化物玻璃的“相變材料（PCMs）”能在十億分之一秒（0.5納秒）內(nèi)，在合適的電脈沖下，在晶體和導電狀態(tài)與玻璃和絕緣狀態(tài)之間，可逆地快速切換。在由這種材料制成的非易失性存儲器單元內(nèi)，邏輯操作和存儲可在同一處進行，從而節(jié)省時間和能源；而在硅基計算機內(nèi)，邏輯操作和存儲在不同的地方進行。
目前，在大多數(shù)計算機、手機和平板電腦內(nèi)，計算都由硅基邏輯設備進行，計算結果也由硅制成的固態(tài)存儲器存儲。以前，增加計算能力的主要方法是通過減少邏輯設備的大小來增加其數(shù)量，但這種方法很快會行不通，因為目前最小的硅基邏輯和存儲設備約為20納米，而且采用層級架構構造而成。為了增加芯片上設備的數(shù)量，這些設備被制造得越來越小，層與層之間的縫隙也變得越來越小，可能會使存儲在非易失性存儲器設備某些區(qū)域內(nèi)的電子從縫隙中逃走，導致數(shù)據(jù)損失。而由相變材料制成的設備能克服這種限制，因為其已被證明能小到2納米。
因此，為了在不增加邏輯設備數(shù)量的情況下提高處理速度，替代方法是增加每個設備能執(zhí)行的計算數(shù)量，用硅根本無法做到這一點，而研究人員已經(jīng)證明，相變材料邏輯/存儲設備可以做到這一點。
相變材料首次于上世紀60年代研制而成，最初被用于光存儲設備（比如可重寫的DVD等）內(nèi)，現(xiàn)在主要用于電存儲領域且在某些智能手機內(nèi)替代硅基閃存。盡管已被證明能執(zhí)行邏輯計算，但這種相變材料也有缺陷：目前，它們的運算速度無法與硅相比，而且在初始的非結晶狀態(tài)下不穩(wěn)定。不過，研究人員在最新研究中發(fā)現(xiàn)，通過執(zhí)行可逆的邏輯操作過程——從晶體狀態(tài)開始，接著在單元內(nèi)融化這種相變材料，再到執(zhí)行邏輯操作，這種材料不僅可以變得更穩(wěn)定而且能更快地執(zhí)行操作。
該研究的領導者、劍橋大學化學學院的斯蒂芬·艾略特說：“我們希望用由相變材料制成的非易失性設備替代需要不斷刷新而耗能費時的動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和邏輯處理器，最終研制出運行速度更快且更環(huán)保的計算機?！?
