中國(guó)儲(chǔ)能網(wǎng)訊：2月初，研究者揭示了第一塊硅烯晶體管的相關(guān)細(xì)節(jié)，如果這種硅薄層結(jié)構(gòu)能應(yīng)用于電子設(shè)備的制造，可能會(huì)推動(dòng)半導(dǎo)體工業(yè)實(shí)現(xiàn)終極的微型化。
七年前，硅烯還只是理論家的一個(gè)夢(mèng)。在對(duì)石墨烯（單原子層厚度、蜂巢狀的碳材料）的狂熱興趣的驅(qū)動(dòng)下，研究者推測(cè)硅原子也許也能形成類(lèi)似的層狀結(jié)構(gòu)。而如果這種硅薄層結(jié)構(gòu)能應(yīng)用于電子設(shè)備的制造，可能會(huì)推動(dòng)半導(dǎo)體工業(yè)實(shí)現(xiàn)終極的微型化。
2月初，研究者揭示了第一塊硅烯晶體管的相關(guān)細(xì)節(jié)，向?qū)崿F(xiàn)夢(mèng)想的方向邁出了關(guān)鍵一步。
參與晶體管制作的德州大學(xué)奧斯汀分校（University of Texas at Austin）納米材料學(xué)家德吉?阿金萬(wàn)德（Deji Akinwande）說(shuō)，雖然設(shè)備表現(xiàn)平庸，且壽命只有幾分鐘，但硅烯這一概念的驗(yàn)證已足以讓與會(huì)人員精神大振。法國(guó)艾克斯?馬賽大學(xué)（Aix-Marseille University）的材料學(xué)家居伊?勒萊（Guy Le Lay）對(duì)此表示贊同。
“沒(méi)人會(huì)預(yù)料到，他們能在這么短的一段時(shí)間內(nèi)，用尚未存在的材料做出晶體管。”他說(shuō)。
勒萊是2012年首先在實(shí)驗(yàn)室條件下制備出硅烯的科學(xué)家之一。硅烯晶體管首次誕生的這段時(shí)間，剛好也是科學(xué)家漸漸意識(shí)到石墨烯無(wú)法適用于晶體管的時(shí)候。石墨烯也許是世界上導(dǎo)電性最強(qiáng)的物質(zhì)，但在一個(gè)重要的特性上，有別于計(jì)算機(jī)芯片中常用的半導(dǎo)體材料，石墨烯沒(méi)有帶隙（band gap）。帶隙是電子在攜帶電流前必須跨過(guò)的能級(jí)障礙，它使半導(dǎo)體材料可具有“開(kāi)”、“關(guān)”兩種狀態(tài)，從而可用于二進(jìn)制邏輯操作。
硅烯的崛起
一直以來(lái)，都是硅烯的碳基“表親”石墨烯吸引著更多注意，但硅烯正迎頭趕上。
1994 首次計(jì)算出硅和鍺的二維晶體結(jié)構(gòu)（硅結(jié)構(gòu)如上圖）
2004 安德烈?海姆（Andre Geim）和康斯坦丁?諾沃肖洛夫（Konstantin Novoselov）完成石墨烯的分離
2007 創(chuàng)造術(shù)語(yǔ)“硅烯”
2009 硅烯納米帶的制造；硅烯和鍺烯理論方面的文章進(jìn)入爆發(fā)期
2010 海姆和諾沃肖洛夫因其在石墨烯方面的重要實(shí)驗(yàn)獲得諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)
2012六篇獨(dú)立研究報(bào)道了在銀表面制備出的硅烯層
2015 首次硅烯晶體管展示
“就邏輯電路方面的應(yīng)用而言，石墨烯沒(méi)什么希望?！崩杖R說(shuō)。與之對(duì)比，硅烯中則可存在帶隙，硅烯中有原子向上翹曲，形成褶皺，使其中一些電子的能態(tài)有輕微的不同。而且，芯片制造商很難為了新興的碳材料元件而放棄數(shù)十年硅元件的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，來(lái)自查爾斯頓南卡羅來(lái)納軍事學(xué)院（Citadel, the Military College of South Carolina）的理論物理學(xué)家Lok Lew Yan Voon解釋道。是他最初命名了硅烯，并在2007年建立模型評(píng)估其性能。
然而，在實(shí)驗(yàn)室操作硅烯絕非易事。硅烯不能像石墨烯那樣用不干膠從體塊材料上剝離。作為代替方案，研究者只能在真空室內(nèi)將熱硅原子蒸汽沉積到銀晶體表面來(lái)制造硅烯。這一過(guò)程十分復(fù)雜。同時(shí)，與穩(wěn)定的石墨烯不同，不加封裝的硅烯在空氣中極不穩(wěn)定，這又增加了將這種輕薄的層狀材料轉(zhuǎn)移到實(shí)用基底（比如晶體管內(nèi)部）上的難度。直到去年，一些研究者仍在質(zhì)疑硅烯究竟是否存在。
因此，阿金萬(wàn)德加入了位于意大利阿格拉泰布里亞恩扎的微電子和微系統(tǒng)研究所的團(tuán)隊(duì)，與亞歷山德羅?默勒（Alessandro Molle）協(xié)力研究為硅烯提供保護(hù)的方法。他們?cè)阢y的薄層上搭載硅烯片，再在其上覆蓋5納米厚的氧化鋁層。然后他們從云母基上剝離三明治狀的硅烯，使銀朝上，放置在氧化硅基底上。最后，他們小心地蝕刻掉一部分銀，留下兩處銀“島”作為電極，其中有一段暴露的硅烯帶。
勒萊說(shuō)：“這是個(gè)非常機(jī)智的方法?！彼?jì)劃對(duì)鍺烯也應(yīng)用這一過(guò)程。鍺烯是去年由他的團(tuán)隊(duì)研發(fā)的鍺構(gòu)成的二維材料，性質(zhì)也同樣不穩(wěn)定。
即使如此，硅烯晶體管也不會(huì)在短期內(nèi)出現(xiàn)在移動(dòng)電話(huà)中：暴露的硅烯在兩分鐘內(nèi)就會(huì)降解。所幸這段時(shí)間對(duì)測(cè)量它的性質(zhì)來(lái)說(shuō)已經(jīng)足夠了。雖然導(dǎo)電性遜于石墨烯，但硅烯元件確實(shí)有一個(gè)較小的帶隙。
對(duì)硅烯晶體管做額外的表面涂層處理也能延長(zhǎng)其壽命。阿金萬(wàn)德曾利用特氟龍（Teflon）穩(wěn)定了二維黑磷——另一種由磷制成的二維材料，也對(duì)空氣敏感——使之成活數(shù)月。其他研究者通過(guò)犧牲多層硅烯結(jié)構(gòu)的表層，來(lái)保護(hù)內(nèi)部結(jié)構(gòu)長(zhǎng)達(dá)24小時(shí)。重要的是，有了制造硅烯晶體管的技術(shù)，我們就可以測(cè)試所有這些保存硅烯的方法是否有效；更進(jìn)一步，還可以測(cè)試其他對(duì)空氣敏感的材料?！斑@絕對(duì)是一項(xiàng)重大突破，”Lew Yan Voon說(shuō)，“這是我們?cè)谶@個(gè)領(lǐng)域期待已久的文章?！?
并不是所有人對(duì)硅烯方向都有如此熱情。來(lái)自瑞典哥德堡查爾姆斯理工大學(xué)（Chalmers University of Technology）的亞里?基納雷特（Jari Kinaret）說(shuō)：“硅烯、鍺烯和二維黑磷單晶的確有許多可討論之處，但與之相關(guān)的困難仍相當(dāng)艱巨。”基納雷特也是歐盟石墨烯旗艦項(xiàng)目的負(fù)責(zé)人——這是一項(xiàng)擁有10億歐元（約11億美元）經(jīng)費(fèi)的項(xiàng)目，專(zhuān)門(mén)研究二維材料及其應(yīng)用。
然而，勒萊確信研究者將會(huì)紛紛聚集到硅烯的課題上來(lái)?！艾F(xiàn)在元件已經(jīng)制作出來(lái)了，”他說(shuō)，“其他的科學(xué)家會(huì)明白硅烯并不是虛幻構(gòu)想，而是一個(gè)實(shí)際可用的材料。”
