中國儲(chǔ)能網(wǎng)訊：6月4日，記者從武漢理工大學(xué)獲悉，該校麥立強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)在場效應(yīng)儲(chǔ)能芯片研究上取得新進(jìn)展，相關(guān)成果在《細(xì)胞》雜志子刊《化學(xué)》上發(fā)表。該團(tuán)隊(duì)在儲(chǔ)能芯片領(lǐng)域，設(shè)計(jì)構(gòu)筑了第一個(gè)單根納米線電化學(xué)儲(chǔ)能器件，實(shí)現(xiàn)單納米基元電化學(xué)儲(chǔ)能器件從0到1的突破，進(jìn)而研制出多點(diǎn)接觸型等10套單納米基元微納電化學(xué)器件。 這項(xiàng)開創(chuàng)性成果，曾受《自然》雜志邀請(qǐng)發(fā)表了該刊首篇以單根納米線電化學(xué)器件為代表的實(shí)時(shí)監(jiān)測電池退化專題論文。這是該團(tuán)隊(duì)在儲(chǔ)能芯片領(lǐng)域又一突破。（科技日?qǐng)?bào)記者 吳純新 通訊員 謝小琴）
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